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半導体材料 - TOML

半導体材料は、電子機器の核心部品となる半導体デバイスを構成する基盤材料です。シリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素などの材料があり、それぞれが異なる電気的特性、光学特性、熱特性を持ち、集積回路、高周波デバイス、光デバイス、太陽電池など幅広い用途に利用されています。第1世代のシリコンとゲルマニウム、第2世代の化合物半導体であるガリウムヒ素は、現代の電子産業を支える重要な材料です。

半導体シリコンゲルマニウムガリウムヒ素電子材料集積回路化合物半導体

[[items]]
code = "Si"
slug = "silicon"
name = "シリコン"
description = "最も広く使用される半導体材料で、集積回路の主力材料です。"
applications = "[\"集積回路(IC)\",\"CPU\",\"メモリ\",\"マイクロプロセッサ\",\"パワーデバイス\",\"太陽電池\"]"
atomicNumber = 14
bandgapType = "間接遷移型"
bandgap_unit = "eV"
bandgap_value = 1.12
category = "元素半導体"
electronMobility_unit = "cm²/Vs"
electronMobility_value = 1400
generation = "第1世代"
symbol = "Si"

[[items]]
code = "Ge"
slug = "germanium"
name = "ゲルマニウム"
description = "トランジスタの初期材料として使用され、現在はSiGe合金や赤外線光学用途で活用されています。"
applications = "[\"SiGe半導体\",\"赤外線光学機器\",\"光ファイバー通信\",\"多接合型太陽電池\",\"高周波デバイス\",\"PETスキャナー\"]"
atomicNumber = 32
bandgapType = "間接遷移型"
bandgap_unit = "eV"
bandgap_value = 0.67
category = "元素半導体"
electronMobility_unit = "cm²/Vs"
electronMobility_value = 3900
generation = "第1世代"
symbol = "Ge"

[[items]]
code = "GaAs"
slug = "gallium-arsenide"
name = "ガリウムヒ素"
description = "高い電子移動度と直接遷移型のバンド構造を持つ高性能化合物半導体です。"
applications = "[\"5G/6G基地局\",\"RFデバイス\",\"半導体レーザー\",\"光通信\",\"衛星通信\",\"宇宙用太陽電池\",\"レーダー\"]"
atomicNumber = ""
bandgapType = "直接遷移型"
bandgap_unit = "eV"
bandgap_value = 1.42
category = "化合物半導体"
electronMobility_unit = "cm²/Vs"
electronMobility_value = 8500
generation = "第2世代"
symbol = "GaAs"